USB ngày nay sẽ nhanh chóng lỗi thời bởi công nghệ lưu trữ mới
| 18/04/2012 05:00 PM
Không chỉ đơn thuần là cho phép lưu trữ nhiều dữ liệu hơn mà nó còn có thể gấp lại như tờ giấy, chịu được nhiệt độ lên đến 1,000ºF (538ºC).
Theo tiến sĩ James M.Tour - nhà hóa học hữu cơ tổng hợp tại trường đại học Houston Rice, các thiết bị bộ nhớ flash có thể được tạo ra với kích cỡ nhỏ hơn nữa trong vài năm tới tuy vậy khi đó ta sẽ gặp phải một rào cản công nghệ. Tiến sĩ Tour cùng các cộng sự của mình đã phát triển một loại vi mạch xử lý mới và tin tưởng rằng nó có thể thay thế cho bộ nhớ flash trong tương lai không xa. Không chỉ đơn thuần là cho phép lưu trữ nhiều dữ liệu hơn mà nó còn có thể gấp lại như tờ giấy, chịu được nhiệt độ lên đến 1,000ºF (538ºC) và trong suốt - điều này có nghĩa là các thiết bị màn hình cũng có thể là bộ nhớ.
Bản mẫu đầu tiên được tạo ra bằng việc kết hợp các lớp vật liệu cacbon lại với nhau, trên cùng là lớp silic oxit cách điện. Vi mạch được thiết kế với 2 thiết bị đầu cuối cho mỗi bit thông tin trong khi vi mạch tiêu chuẩn sử dụng 3. Tính năng này cho phép các thành phần chip được sắp xếp theo cấu trúc không gian 3 chiều do đó lưu trữ được nhiều dữ liệu hơn trên cùng một diện tích. Một đặc điểm khác đó là tỷ lệ on-off cao khoảng 1.000.000:1, nó cho ta thấy số lượng điện có thể lưu chuyển trong vi mạch khi lưu trữ thông tin - một tính năng vô cùng hấp dẫn với các nhà sản xuất.
Các vi mạch có thể được sử dụng để tạo nên một màn hình cảm ứng cũng như để lưu trữ dữ liệu, vừa giúp hạn chế hỏng hóc hay xảy ra với màn hình, mà còn giúp tiết kiệm không gian lưu trữ, tạo nên các thiết bị mỏng hơn, gọn hơn. Nó có thể được sử dùng làm màn hình điều khiển trên các phương tiện hay cho phi hành gia.
Trước mắt, tiến sĩ Tour hy vọng rằng có thể gửi một vài mẫu vi mạch lên Trạm không gian Quốc tế để có thể kiểm tra vi mạch trong điều kiện bức xạ ngoài không gian. Ngoài ra, ông cũng đang trong quá trình làm việc với các nhà sản xuất với hy vọng đưa vi mạch này vào thực tiễn.
Tham khảo : gizmag